特許

J-GLOBAL ID：200903054293163306

半導体力学量センサの製造方法

発明者： 山本 敏雅 ,  木村 裕治 ,  青 建一 ,  大塚 義則
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-162643
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018018
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】製造プロセスでのステップカバレッジの向上を図ることができる半導体力学量センサの製造方法を提供する。【構成】シリコン基板1の上に犠牲層としてのシリコン酸化膜32を形成し、シリコン酸化膜32の上に、表層部が本体部よりもエッチングレートが速くなっているポリシリコン薄膜34を配置し、ポリシリコン薄膜34の上に、所定領域が開口する保護マスクとしてのレジスト35を配置するとともに、このレジスト35を用いて等方性エッチングを行い所定領域に側面が斜状となったポリシリコン薄膜34を残し、シリコン基板1の全面に配置したレジストを用いたアルミ配線の微細加工を行い、ポリシリコン薄膜34を所定の形状にパターニングするとともに、その下のシリコン酸化膜32を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置され、力学量の作用に伴い変位する、薄膜よりなる梁構造の可動部とを備えた半導体力学量センサの製造方法であって、半導体基板の上に犠牲層を形成する第1工程と、前記犠牲層の上に、表層部が本体部よりもエッチングレートが速くなっている可動部形成用薄膜を配置する第2工程と、前記可動部形成用薄膜の上に、所定領域が開口する保護マスクを配置するとともに、この保護マスクを用いて等方性エッチングを行い所定領域に側面が斜状となった可動部形成用薄膜を残す第3工程と、半導体基板の全面に配置したレジストを用いた微細加工を施す第4工程と、前記可動部形成用薄膜を所定の形状にパターニングするとともに、その下の犠牲層を除去する第5工程とを備えたことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。