特許
J-GLOBAL ID：200903054296626803
半導体装置における金属層間絶縁膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271888
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206128
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】半導体装置において、ボイドや亀裂が少なく平坦度が優秀な金属層間絶縁膜を形成できるような方法の提供。【構成】下側金属層23を所定のパターンで形成後、第1及び第2絶縁膜25、27を順次形成すると共に、第1絶縁膜の表面が露出するまで第2絶縁膜をエッチバックし、残留する第2絶縁膜からなるスペーサ27を第1絶縁膜側壁に形成するか、あるいは凹部領域に残留するマスク材をマスクとして第2絶縁膜の露出部分を除去することにより凸部頂部に第1絶縁膜が露出し凹部領域には第2絶縁膜が露出する状態とした後、第1絶縁膜上よりも第2絶縁膜上での成長速度が速い第3絶縁膜を形成することによって、平坦度が高くしかもボイドや亀裂が少ない金属層間絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置における金属層間絶縁膜の形成方法において、所定の金属層パターンが形成された半導体基板の上面に第1絶縁膜と第2絶縁膜とを順次に形成する第1工程と、第2絶縁膜にエッチバック処理を施して第1絶縁膜の側壁に第2絶縁膜の一部からなるスペーサを形成する第2工程と、成長速度が第1絶縁膜上でよりスペーサ上での方が速い特性をもつ第3絶縁膜を第1絶縁膜及びスペーサ上に形成する第3工程とを順次に行うことを特徴とする金属層間絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
