特許
J-GLOBAL ID：200903054297796680
バイアスT
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
奥田 弘之
, 奥田 規之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-358463
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193886
出願日： 2002年12月10日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】生産性が良く、小型で特性の安定したバイアスTを実現する。【解決手段】第1の端子1と第2の端子2間に、直列接続された一対の高周波用コンデンサ12a,12bと低周波用コンデンサ14とを並列接続して成るコンデンサCを接続し、第2の端子2と第3の端子3間にコイルLを接続したバイアスT10であり、誘電体基板30表面に、第1の導体パターン32と第2の導体パターン33と対向配置し、誘電体基板30内部に、第1,第2の導体パターンと重なる内部電極34を配置し、第1の導体パターン32と内部電極34間、第2の導体パターン33と内部電極34間に一対の高周波用コンデンサ12a,12bを形成し、セラミックチップコンデンサより成る低周波用コンデンサ14の一方の電極14aを第1の導体パターン32、他方の電極14bを第2の導体パターン33に接続してコンデンサCを構成し、円錐状コア22の巻線部24外周面に導線20を巻回してコイルLを構成した。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
第1乃至第3の端子を有し、第1の端子と第2の端子との間に、高周波用コンデンサと低周波用コンデンサとを並列接続して構成したコンデンサを接続すると共に、第2の端子と第3の端子との間、又は、第1の端子と第3の端子との間に、コイルを接続して成るバイアスTであって、誘電体基板の表面に導体パターンを配置すると共に、誘電体基板内部に上記導体パターンと重なる内部電極を配置することにより、上記導体パターンと内部電極との間に上記高周波用コンデンサを形成し、また、コアの巻線部に他の部分と径の異なる部分を少なくとも1箇所以上形成すると共に、該コアの外周面に導線を巻回することにより、上記コイルを形成したことを特徴とするバイアスT。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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