特許
J-GLOBAL ID：200903054298605110
薄膜EL素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236485
公開番号（公開出願番号）：特開平10-083887
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】絶縁基板上に少なくとも第一の電極、第一の絶縁層、発光層、第二の絶縁層および第二の電極を積層した薄膜電場発光素子において、発光層上の第二絶縁層の隙間に起因するプロセス上のトラブルや、第二絶縁層の絶縁破壊を防止する。【解決手段】発光層の成膜後、シリコンをターゲットとし、ArとN2 との混合ガス中で、ターゲット11側に100W、EL素子1側に500Wのパワーを印加して、120分間バイアススパッタ法をおこない、厚さ200nmのSi3 N4 膜を堆積する。このバイアススパッタにより、形成された第二絶縁層は発光層表面の凹凸をほぼ完全に被覆するようになり、ウェットプロセス時の発光層への浸水のトラブルや、電圧印加時の絶縁破壊が無くなる。複数のターゲットを用いて、多元同時スパッタにより複合膜を形成することもできる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に少なくとも第一の電極、第一の絶縁層、II族金属のカルコゲナイドである発光層、第二の絶縁層および第二の電極を積層した薄膜EL素子の製造方法において、第二絶縁層をバイアススパッタ法で形成することを特徴とする薄膜EL素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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