特許
J-GLOBAL ID：200903054300245542

銅膜又は銅系膜に対する選択的エッチング方法と、選択的エッチング装置。

発明者：
大澤 正行

大澤 正行 について


出願人/特許権者：
株式会社ノース

株式会社ノース について


代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-322944
公開番号（公開出願番号）：特開2003-129259
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：
【要約】【課題】 銅膜2・4膜間にエッチングバリア層3を介在させた金属積層板1の一方の銅膜又は銅系膜に対する選択的エッチングに要するコストを高めることなく、エッチングバリア層3が侵されて他方の銅膜4又は銅系膜までが侵される虞をなくす。【解決手段】銅膜2・4間にエッチングバリア層3を介在させた金属積層板1の少なくとも一方の銅膜2に対して選択的エッチングする選択的エッチング方法において、選択的エッチングすべき銅膜2の表面にマスク膜5aを選択的に形成した状態で、先ず、酸性エッチング液により銅膜2をエッチングバリア層3が露出しない限度でエッチングし、その後、アルカリエッチング液により銅膜2の残りをエッチングバリア層3が露出するようにエッチングする。
請求項（抜粋）：
銅膜又は銅系膜間にエッチングバリア層を介在させた金属積層板の少なくとも一方の銅膜又は銅系膜に対して選択的エッチングする選択的エッチング方法において、選択的エッチングすべき銅膜又は銅系膜の表面にマスク膜を選択的に形成した状態で、先ず、酸性エッチング液により該銅膜又は銅系膜を上記エッチングバリア層が露出しない厚さ分エッチングし、その後、アルカリエッチング液により上記銅膜又は銅系膜の残りを上記エッチングバリア層が露出するようにエッチングすることを特徴とする選択的エッチング方法。
IPC (3件)：
C23F 1/18 ,  C23F 1/34 ,  H05K 3/06
FI (3件)：
C23F 1/18 ,  C23F 1/34 ,  H05K 3/06 M
Fターム (10件)：
4K057WA13 ,  4K057WB04 ,  4K057WD05 ,  4K057WE08 ,  4K057WE23 ,  4K057WM02 ,  4K057WN01 ,  5E339BC01 ,  5E339BC02 ,  5E339BE13
引用特許：
審査官引用 (5件)
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