特許

J-GLOBAL ID：200903054301498835

基体から素子形成層を分離する方法

発明者： 松下 孟史 ,  田舎中 博士
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-037655
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213645
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 高変換効率の薄膜太陽電池などの高性能の薄膜素子を低コストで製造することができる基体から素子形成層を分離する方法を提供する。【構成】 単結晶Si基板1上に多孔質Si層2を形成し、その上に太陽電池層となるp+ 型Si層3、p型Si層4およびn+ 型Si層5を形成する。n+型Si層5上に保護膜6を形成した後、単結晶Si基板1の裏面を治具10に接着するとともに、保護膜6の表面に治具12を接着する。次に、治具10、12を互いに反対方向に引っ張ることにより多孔質Si層2を機械的に破断し、太陽電池層を単結晶Si基板1から分離する。この太陽電池層を二枚のプラスチック基板の間にはさんでフレキシブルな薄膜太陽電池を製造する。

請求項（抜粋）：

基体上に分離層を介して素子形成層を形成し、その後上記分離層の内部および/または上記分離層と上記素子形成層および上記基体との界面で機械的に破断を起こさせることにより上記基体から上記素子形成層を分離するようにしたことを特徴とする基体から素子形成層を分離する方法。

IPC (6件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 31/04 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 太陽電池の製造方法及び該方法で得られる太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-016520   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体基材の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-292258   出願人：キヤノン株式会社