特許
J-GLOBAL ID：200903054301785729

半導体装置の製造方法

発明者：
目黒 寿孝

目黒 寿孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-034018
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245267
出願日： 1994年03月04日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 化学気相成長法によって形成されたシリコン酸化膜が良好な特性を有し、製造歩留が向上する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 Si基板11上にTEOS(テトラエトキシシラン)を原料ガスに用いたLPCVD法(減圧化学気相成長法)によってシリコン酸化膜12を成膜し、成膜されたシリコン酸化膜12を酸素(O2 )及び塩化水素(HCl)を含む混合ガス雰囲気中で所定時間加熱処理することで、加熱処理時に雰囲気中の酸素によってシリコン酸化膜12は膜密度が高くなり、有孔率が下がり、誘電率が大きいものとなる。また同じく塩素のゲッター作用によってシリコン酸化膜12中に侵入しているNaイオン等の可動イオンや、吸着している銅、アルミニウム等のメタル不純物などが除去される。その結果、シリコン酸化膜12の特性が良好なものとなり、半導体装置の製造歩留が向上する。
請求項（抜粋）：
基板の表面に化学気相成長によってシリコン酸化膜を成膜する工程と、成膜されたシリコン酸化膜を酸素及び塩素を含む雰囲気中で所定時間加熱処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78
引用特許：
審査官引用 (3件)

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