特許

J-GLOBAL ID：200903054306332161

窒化物半導体発光素子

発明者： 神川 剛 ,  金子 佳加 ,  元木 健作
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  住友電気工業株式会社
代理人 (3件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹 ,  小寺 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-153621
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356454
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】ウェハー面内の特性の均一化を図り歩留まりを向上させる窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】窒化物半導体発光素子は、基板10と、基板10上に積層された窒化物半導体層13とを備え、基板10又は窒化物半導体層13が、欠陥集中領域11と欠陥集中領域11を除いた領域である低欠陥領域12とを有し、窒化物半導体層13又は基板10の欠陥集中領域11を含む部分に、低欠陥領域12よりも掘り込まれた掘り込み領域14を有するものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に積層された窒化物半導体層とを備えた窒化物半導体発光素子において、 前記基板又は窒化物半導体層が、欠陥集中領域と欠陥集中領域を除いた領域である低欠陥領域とを有し、 前記窒化物半導体層又は基板の欠陥集中領域を含む部分に、前記低欠陥領域よりも掘り込まれた掘り込み領域を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01S5/343

FI (1件)：

H01S5/343 610

Fターム (9件)：

5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29 ,  5F073HA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物系III-V族化合物の結晶製造方法、窒化物系III-V族化合物結晶基板、窒化物系III-V族化合物膜およびデバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-341637   出願人：ソニー株式会社
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社