カルコパイライト薄膜、その製造方法および製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：東島隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005606
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211930
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】品質のすぐれたABC2型カルコパイライト薄膜およびそれを安定して製造する方法と装置を提供する。【構成】 B元素過剰なABC2層が最表面に存在するABC2型カルコパイライト薄膜。A元素過剰なカルコパイライト薄膜をB元素とC元素を含むフラックスまたはガスに暴露することにより製造する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたABC2型カルコパイライト(A=CuまたはAg、B=InまたはGa、C=S、SeまたはTe)薄膜からなり、その最表面がB元素過剰なABC2型の層で構成されたことを特徴とするカルコパイライト薄膜。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , C30B 29/46

引用特許：

審査官引用 (2件)

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