特許
J-GLOBAL ID：200903054309667415
NOR型不揮発性メモリ制御回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-199798
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057484
出願日： 1993年08月11日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】書き込みが不十分なセルに対してだけ選択的に再書き込みし、各セルのスレショールドレベルを揃える。【構成】FN(Fowler-Nordheim)トンネル電流を使用してデータの書込みを行う場合、データ照合後の再書込時にデータ書込みを禁止する反選択電位が供給される。即ち、再書き込みモードとなったとき、センスアンプ20のラッチデータがハイレベルHであるために、該当セルの電子がFNトンネルして、そのセルにデータ「0」が書き込まれる。書き込みが充分であるセルはビット線電位BLRがローレベルLに落ちているので、センスアンプ20のラッチデータもローレベルLとなり、同じワード線に書き込み充分なセルが接続されていたとしてもそのセルには再書き込みがなされない。
請求項（抜粋）：
ワード線単位でデータの書き込み及び照合を繰り返し行うようにしたトンネル電流によるデータの書き込み及び消去を行うNOR型不揮発性メモリの制御回路において、ビット線ごとにセンスアンプを有するセル制御手段が設けられ、データの書き込みが充分なセルに対応するビット線には上記セル制御手段からデータ照合後の再書き込み時にデータ書き込みを禁止する反選択電位が供給されるようになされたことを特徴とするNOR型不揮発性メモリの制御回路。
FI (2件)：
G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 530 D
