半導体素子製造用セラミックヒータ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356928
公開番号（公開出願番号）：特開平11-185940
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】プロセス中の載置面の温度に変化が生じた場合においても、精度よく半導体ウエハ載置面の温度分布の均一性を維持できるセラミックヒータを得る。【解決手段】半導体ウエハ載置面を有する円板状のセラミックス絶縁基板と、絶縁基板内部に略同心円状に抵抗線を配列してなる発熱抵抗体と、を具備してなる半導体素子製造用セラミックヒータにおいて、発熱抵抗体を正の温度係数の抵抗体により形成するとともに、発熱抵抗体の少なくとも一部に、半径方向に同心円状に配列された複数の抵抗線11同士を放射状に延びる給電線16〜19によって、各抵抗線を並列接続してなる並列回路パターンを形成することにより、その部分での温度変化に対して、定電圧下での抵抗体の抵抗変化に伴う発熱量の変化によって、その温度変化を自動的に補正して、ウエハ載置面の温度分布を精度よく均一に維持する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ載置面を有する円板状のセラミックス絶縁基板と、該絶縁基板内部に略同心円状に抵抗線を配列してなる発熱抵抗体と、を具備してなる半導体素子製造用セラミックヒータにおいて、前記発熱抵抗体を正の温度係数の抵抗体により形成するとともに、該発熱抵抗体の回路パターンの少なくとも一部に、半径方向に同心円状に配列された複数の抵抗線同士を並列接続してなる並列回路を具備することを特徴とする半導体素子製造用セラミックヒータ。

IPC (4件)：

H05B 3/20 356 , H01L 21/203 , H01L 21/324 , H01L 21/205

FI (4件)：

H05B 3/20 356 , H01L 21/203 Z , H01L 21/324 K , H01L 21/205

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