特許
J-GLOBAL ID：200903054312550928
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036535
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234998
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】ポリイミド系有機絶縁物を層間膜とした3層以上の配線を行う際に、平坦性を損うことなくパッドの膨れ等を防止する。【構成】スリットを入れない第1層パッド2を形成後、第1層間ポリイミド3を被覆し、1辺0.8μm程度のスリット5を多数形成した第2層パッド4を形成する。この後再びポリイミド6を被覆し、1辺3.0μm程度のスリット8を多数形成して第3層パッド7を形成する。この後再びポリイミド9を被覆するが、このポリイミド9は最上層との接続孔形成の際、エッチング除去する。最後にスリットを入れない最上層のパッド10を形成する。
請求項（抜粋）：
3層以上の金属配線を有する半導体集積回路において、外部端子との接続を行う部分の金属配線での、最上層及び最下層を除く層の金属配線にスリット状の小穴を多数開口したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/60 301
