特許

J-GLOBAL ID：200903054314930221

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 國友 正人 ,  笠原 修
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-003221
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211791
出願日： 1994年01月17日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 デバイス特性に悪影響を及ぼすことなく、蓄積電荷容量の大きい容量素子を形成する。【構成】 DRAMの情報蓄積用容量素子の下部電極15を形成した後、この下部電極15上にCVD法で窒化シリコン膜16を堆積し、さらにこの窒化シリコン膜16上にTa2 O5 膜17を堆積することにより、窒化シリコン膜16の堆積時に下部電極15の表面が酸化されるのを防止する。

請求項（抜粋）：

下部電極と、前記下部電極上に形成された容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に形成された上部電極とからなる容量素子を備え、前記容量素子の容量絶縁膜がCVD法により形成された窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜上に形成された高誘電率膜とで構成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 C