特許
J-GLOBAL ID：200903054315607157
マルチカスプ型マイクロ波イオン源
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-179567
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022789
出願日： 1994年07月06日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：
【要約】【目的】 極性が互いに反対向きになるように配置した永久磁石によってチャンバの周囲を囲み、カスプ磁場を発生させてプラズマを閉じ込めるようにしたイオン源には、閉じ込め不十分という欠点がある。つまり磁場強度の弱くなるカスプ磁場の中間部において高エネルギーの電子が逃げて、チャンバ壁に当りエネルギーを失うことがある。中間部の弱いカスプ磁場を越えて高速電子が壁に逃げないようにしたイオン源を提供すること。【構成】 カスプ磁場とチャンバ壁の間に、チャンバから絶縁されたバイアス板を設け、これに負電圧を印加する。電子を電界の作用で押し返し、壁との接触を防ぐ。
請求項（抜粋）：
真空チャンバと、チャンバの外周に極性が互いに反対になるように設置されチャンバ内部にカスプ磁場を発生する複数の永久磁石と、マイクロ波を導入し、チャンバに導入された原料ガスをマイクロ波によってプラズマにするマイクロ波プラズマ励起機構と、永久磁石によってチャンバ内に形成されるカスプ磁場とチャンバ内壁の間であってカスプの尖点を除いた位置に、チャンバとは絶縁されて設けられた金属製のバイアス板と、チャンバに対して負電圧をバイアス板に印加するバイアス電源とを含み、カスプ磁場を通り抜けた電子が、バイアス板の電界によりチャンバの中央部へ押戻されるようにしたことを特徴とするマルチカスプ型マイクロ波イオン源。
IPC (2件)：
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