特許
J-GLOBAL ID：200903054319604675
エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-087669
公開番号（公開出願番号）：特開平7-268621
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：
【要約】【目的】エレクトロルミネッセンス表示素子の成膜で、ターゲット寿命を延ばして均質な成膜を行うこと。【構成】ターゲットに対する電力供給を段階的又は連続的に徐々に上昇させると、ターゲットの動的状態が急変することがなく、放電状態が均一化され、ターゲットに機械的な衝撃やストレスが掛かりにくくなる。また、予備加熱を実施することで基板の側も表面状態を活動的にし、安定化する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に少なくとも光取り出し側が透明導電材料からなる一対の電極間に、蛍光体からなる発光層および絶縁層が配設されたエレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法において、該エレクトロルミネッセンス表示素子を構成する発光層及び/又は絶縁層の成膜手段がRFスパッタリング法であって、スパッタ成膜時の初期放電から本成膜放電に至るプリスパッタリングの出力電力を段階的又は連続的に徐々に上昇させることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法。
IPC (6件)：
C23C 14/34
, C23C 14/56
, G09F 9/30 365
, H01J 37/32
, H05B 33/10
, G01D 11/28
