化合物半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-362401
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183466
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】クラッド層からしみ出した光を吸収する層を電圧上昇を生じるヘテロ障壁を生じさせることなく、またクラッド層での吸収を起こさせる要因を作ることなく形成し、導波路以外でのモード形成を阻止することを目的とする。【解決手段】互いに異なる導電型を有するクラッド層106,111と、該クラッド層106,111に挟まれかつクラッド層よりもエネルギーギャップの小さい活性層108と、少なくとも一方のクラッド層に対して活性層108と反対側に、活性層108よりもエネルギーギャップの大きな材料からなるアンドープの吸収層105とからなるGaN系化合物半導体レーザー。

請求項（抜粋）：

互いに異なる導電型を有するクラッド層と、このクラッド層に挟まれ、前記クラッド層よりもエネルギーギャップの小さい活性層と、少なくとも一方の前記クラッド層に対して前記活性層と反対側に形成され、前記活性層よりもエネルギーギャップが大きく、アンドープの吸収層とを具備することを特徴とする化合物半導体レーザ。

IPC (4件)：

H01S 5/323 , C30B 29/40 502 , H01L 21/205 , H01S 5/34

FI (4件)：

H01S 3/18 673 , C30B 29/40 502 B , H01L 21/205 , H01S 3/18 676

Fターム (43件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077DB08 , 4G077EF01 , 5F045AA04 , 5F045AB06 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AD11 , 5F045AD15 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA61 , 5F045DA66 , 5F045EB15 , 5F045EE12 , 5F045GB11 , 5F073AA09 , 5F073AA43 , 5F073AA52 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB01 , 5F073CB07 , 5F073CB10 , 5F073DA05 , 5F073DA26 , 5F073EA18

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