特許
J-GLOBAL ID:200903054344800063
フッ素化アルキルアルコキシフェノールの製造法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 勝利
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-067940
公開番号(公開出願番号):特開2004-277298
出願日: 2003年03月13日
公開日(公表日): 2004年10月07日
要約:
【課題】液晶材料としての可能性を有するフッ素化アルキルアルコキシフェノールの工業的に実施可能な製造方法を提供すること。【解決手段】下記一般式(1)F(CF2)m(CH2)nOSO2-C6H4-R (1)(式中、mは1〜18の整数であり、nは0〜12の整数であり、Rは水素原子またはメチル基である。)で表されるスルホン酸エステル体と、下記一般式(2)HO-C6H4-OR’ (2)(R’は水酸基の保護基である。)で表されるジヒドロキシベンゼン誘導体とを反応させて、下記一般式(3)F(CF2)m(CH2)nO-C6H4-OR’ (3)(式中、m、n、R’は前記と同じである。)で表されるエーテル体とした後、保護した水酸基の脱保護を行うことを特徴とするフッ素化アルキルアルコキシフェノールの製造法。【選択図】 なし。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)
F(CF2)m(CH2)nOSO2-C6H4-R (1)
(式中、mは1〜18の整数であり、nは0〜12の整数であり、Rは水素原子またはメチル基である。)
で表されるスルホン酸エステル体と、下記一般式(2)
HO-C6H4-OR’ (2)
(R’は水酸基の保護基である。)
で表されるジヒドロキシベンゼン誘導体とを反応させて、下記一般式(3)
F(CF2)m(CH2)nO-C6H4-OR’ (3)
(式中、m、n、R’は前記と同じである。)
で表されるエーテル体とした後、保護した水酸基の脱保護を行うことを特徴とするフッ素化アルキルアルコキシフェノールの製造法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (9件):
4H006AA02
, 4H006AB48
, 4H006AB84
, 4H006AC42
, 4H006AC43
, 4H006AC80
, 4H006BD70
, 4H006GN31
, 4H006GP03
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