特許
J-GLOBAL ID：200903054349178638
フォトダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 正康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-277743
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256587
出願日： 1996年10月21日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 BC(ベース・コレクタ間)-PDがSC(基板・コレクタ)-PDと並列接続されても、BC-PDは後者による寄生ダイオードの影響を受けず、動作速度も低下せず十分な周波数特性のPDを提供する。【解決手段】 P型基板1上に形成されたN-型のエピタキシャル層2と、該層上に形成されたP型拡散層3と、エピタキ層上にP型拡散層と分離形成された第1N+型拡散層14と、エピタキ層下方に形成されたN+型の埋込み拡散層11と、該拡散層まで達する深さに形成された第2N+型拡散層10と、エピタキ層直下のN+型の埋込み拡散層11とエピタキ層を分離するP型の埋込み拡散層13と、該埋込み拡散層13に達する深さで第2のN+型拡散層とエピタキ層を分離するP型接合分離層12とを具備する。P型拡散層は陽極側で基板と共に接地電位に、第1N+型拡散層は第1の陰極側でオペアンプの入力端子に、第2N+型拡散層は第2陰極側で基板に接続されている。
請求項（抜粋）：
バイポーラプロセスで作成されるフォトダイオードにおいて、P型の基板と、この基板上に形成されたN-型のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層上に形成されたP型拡散層と、前記エピタキシャル層上に前記P型拡散層とは分離して形成された第1のN+型拡散層と、前記エピタキシャル層の下方に形成されたN+型の埋め込み拡散層と、前記エピタキシャル層上に形成され、前記N+型の埋め込み拡散層まで到達する深さに形成された第2のN+型拡散層と、前記エピタキシャル層の直下に形成され、前記N+型の埋め込み拡散層とエピタキシャル層を分離するP型の埋め込み拡散層と、このP型の埋め込み拡散層まで到達する深さに形成され、前記第2のN+型拡散層とエピタキシャル層を分離するP型の接合分離層と、を具備し、前記P型拡散層がアノード側、前記第1のN+型拡散層が第1のカソード側、前記第2のN+型拡散層が第2のカソード側になっていて、アノード側は基板とともに接地電位に接続され、第1のカソード側はオペアンプの入力端子に接続され、第2のカソード側は基板に接続されていることを特徴とするフォトダイオード。
引用特許：
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