特許
J-GLOBAL ID：200903054349233213
面発光半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-068210
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270959
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 シングルモード光ファイバに適した波長1.1μmよりも長波長帯の面発光半導体レーザ装置であって、寄生容量を低減して高速変調が可能な面発光半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 この面発光半導体レーザ装置は、半導体基板1上に、下部半導体多層膜反射鏡2と、発振波長が1.1μmよりも長波長の活性層4を含む共振器構造50と、上部半導体多層膜反射鏡6とが順次に積層されて半導体積層構造として形成されており、該半導体積層構造の表面から少なくとも活性層4の下端まで(図1の例では、下部半導体多層膜反射鏡2の表面まで)がエッチング除去により柱状構造として形成されており、該柱状構造の周辺には厚さhが3μm以上のポリイミド膜7が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、下部半導体多層膜反射鏡と、発振波長が1.1μmよりも長波長の活性層を含む共振器構造と、上部半導体多層膜反射鏡とが順次に積層されて半導体積層構造として形成されており、該半導体積層構造の表面から少なくとも活性層の下端までがエッチング除去により柱状構造として形成されており、該柱状構造の周辺には厚さが3μm以上のポリイミド膜が設けられていることを特徴とする面発光半導体レーザ装置。
Fターム (10件)：
5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CA20
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA35
, 5F073EA14
