微細パターンの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-195640
公開番号（公開出願番号）：特開平5-040346
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】断面形状が矩形で、微細加工に適したレジストパターンを形成する。【構成】半導体基板1上に、酸触媒反応を利用したポジ型レジスト(化学増幅ポジ型レジスト)2を塗布する。つぎに希塩酸3などの酸処理によりアルカリ現像に可溶な表面溶化層4を形成する。つぎにエキシマレーザ光6を用いて露光する。つぎに熱8を加えると、レジスト2表面だけでなく内部からもベースポリマーからアルカリに対する保護基が脱離する反応が起こる。つぎにアルカリ現像すると、断面が矩形のレジストパターン7が得られ、エッチング工程において優れた形状の微細パターンを形成することができる。

請求項（抜粋）：

酸触媒反応を用いる化学増幅ポジ型レジストを半導体基板の一主面に塗布する工程と、前記レジスト表面を酸処理する工程とを含む、微細パターンの形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/38 501 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 361 B , H01L 21/30 361 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-099960
特開平4-363014
特開平4-060551

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