特許

J-GLOBAL ID：200903054353334385

化合物半導体のエピタキシャル成長方法

発明者： 北川 雅彦 ,  友村 好隆 ,  中西 健司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065819
公開番号（公開出願番号）：特開平8-239294
出願日： 1989年03月15日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【課題】 低温での単結晶化と不純物添加が行え、電気的性質、光学的性質の制御性、安定性の良い化合物半導体エピタキシャル単結晶が得られないという課題があった。【解決手段】 成長させるZnS結晶材料のバンドギャップのエネルギーに共鳴かつ吸収するように選択された光線を光源1から照射し、ZnS基7上にZnS単結晶ホモエピタキシャル薄膜を結晶成長させ、成長後に、熱処理により光照射領域を低抵抗化すると共に、非照射領域を高抵抗化する方法による。

請求項（抜粋）：

化合物半導体を構成する元素の単体材料と、前記化合物半導体の不純物元素を含む材料の、分子或は原子ビーム原料を用いて、半導体基板の一主面上へ所望伝導型を有する化合物半導体の結晶を成長させる際、前記分子或は原子ビーム原料が入射する前記半導体基板主面上に、成長する結晶材料のバンドギャップのエネルギーに共鳴かつ吸収するように選ばれた光線を所定領域に照射して化合物半導体の結晶を成長させ、結晶成長後の熱処理により照射領域を低抵抗化すると共に、非照射領域を高抵抗化することを特徴とする化合物半導体のエピタキシャル成長方法。

IPC (4件)：

C30B 23/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  C30B 29/48

FI (4件)：

C30B 23/08 M ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/363 ,  C30B 29/48