特許
J-GLOBAL ID：200903054355754098
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-292557
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148538
出願日： 1999年10月14日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 高出力・基本モード発振する、赤色の半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 GaN基板11上にGa1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層12、GaN光導波層13、In1-z2Gaz2N/In1-z3Gaz3N多重量子井戸活性層14、Ga1-z4Alz4Nキャリアブロッキング層、GaN光導波層16、Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層17、GaNコンタクト層18等を形成した半導体レーザ24により、GaAs基板31上にIn0.5(Ga1-x5Alx5)0.5Pクラッド層32、In0.5(Ga1-x2Alx2)0.5P下部光閉じ込め33、In0.5(Ga1-x3Alx3)0.5P/In0.5(Ga1-x4Alx4)0.5P多重量子井戸活性層34、In0.5(Ga1-x2Alx2)0.5P下部光閉じ込め35、In0.5Al0.5P/In0.5(Ga1-x1Alx1)0.5P分布反射膜36、SiO2/ZrO2分布反射膜37等を形成してなる面発光型半導体素子を励起しレーザ発振を得る。
請求項（抜粋）：
InGaNまたはGaNを活性層に用いた半導体レーザ素子からなる励起光源と、該励起光源により励起されてレーザ光を発する、基板上にInGaAlPまたはInGaPからなる活性層を備えた面発光型半導体素子とを備えてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
5F073AA45
, 5F073AA62
, 5F073AA64
, 5F073AA71
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073AB16
, 5F073AB17
, 5F073AB21
, 5F073AB25
, 5F073AB27
, 5F073AB29
, 5F073CA07
, 5F073CA14
, 5F073CA17
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073EA24
, 5F073GA36
