特許
J-GLOBAL ID:200903054357185686
シリコンウエハのエッジ鏡面化方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡邉 一平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-091932
公開番号(公開出願番号):特開平11-288903
出願日: 1998年04月03日
公開日(公表日): 1999年10月19日
要約:
【要約】【課題】 シリコンウエハのエッジに均一な鏡面化を施すエッジ鏡面化方法を提供する。【解決手段】 シリコンウエハのエッジを鏡面化する方法である。シリコンウエハ10の少なくともエッジ部13を、その上方に配設した薬液注入ノズル14から、エッチング速度を抑制した組成を有するエッチング用化学薬液を滴下することにより鏡面化処理する。
請求項(抜粋):
シリコンウエハのエッジを鏡面化するにあたり、シリコンウエハの少なくともエッジ部を、エッチング速度を抑制した組成を有するエッチング用化学薬液により処理することを特徴とするシリコンウエハのエッジ鏡面化方法。
IPC (3件):
H01L 21/304 621
, H01L 21/304 622
, H01L 21/306
FI (3件):
H01L 21/304 621 E
, H01L 21/304 622 A
, H01L 21/306 B
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