特許

J-GLOBAL ID：200903054362735198

マグネトロン型スパッター電極磁界配位及びその磁気回路

発明者： 江島 正毅 ,  清水 佳昌
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-008200
公開番号（公開出願番号）：特開平9-195043
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1997年07月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 マグネトロン型スパッター電極磁界配位において、ターゲット消費効率を改善し、さらに基板上生成膜の欠陥を低減化し、ターゲット全面にわたってエロージョンを確保できるマグネトロン型スパッター電極磁界配位を提供する。【解決手段】 マグネトロン型スパッター電極のターゲット1背面に配置した磁石によって該ターゲット1とスパッター成膜基板との間に形成される磁界配位において、該磁石による磁力線配位がスパッター成膜基板とターゲットの間でヌルポイント4を有し、該ヌルポイント4を通るセパラトリックス5がターゲット1上にドームを形成してなることを特徴とするマグネトロン型スパッター電極磁界配位。

請求項（抜粋）：

マグネトロン型スパッター電極のターゲット背面に配置した磁石によって該ターゲットとスパッター成膜基板との間に形成される磁界配位において、該磁石による磁力線配位がスパッター成膜基板とターゲットの間でヌルポイントを有し、該ヌルポイントを通るセパラトリックスがターゲット上にドームを形成してなることを特徴とするマグネトロン型スパッター電極磁界配位。