特許

J-GLOBAL ID：200903054374396470

光半導体装置及びその製造方法

発明者： 安達 正樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077368
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283441
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】生産効率の高めることができるとともに、はんだ接続の際の熱に耐えることができ、また光半導体素子として必要な光透過部を確保することができる光半導体装置を提供すること。【構成】パッケージ10内部に光半導体素子30が取り付けられたリードフレーム20が配設されてなる光半導体装置において、パッケージ10は、一端部が開放した中空容器状に形成され、リードフレーム20の光半導体素子30が設けられた側が中空部11aの内底部に露出して配置された耐熱性熱可塑性樹脂からなる耐熱部11と、耐熱部11の中空部11a内に充填された透明樹脂からなる透明部12とを備えている。

請求項（抜粋）：

パッケージ内部に光半導体素子が取り付けられたリードフレームが配設されてなる光半導体装置において、前記パッケージは、一端部が開放した中空容器状に形成され、前記リードフレームの前記光半導体素子が設けられた側が中空部の内底部に露出して配置された耐熱性熱可塑性樹脂からなる耐熱部と、この耐熱部の中空部内に充填された透明樹脂からなる透明部とを備えていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 31/02

FI (2件)：

H01L 23/30 F ,  H01L 31/02 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-270282