特許
J-GLOBAL ID：200903054380518846
イメージセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 康夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-212377
公開番号（公開出願番号）：特開平8-079445
出願日： 1994年09月06日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 オフセットのばらつきが小さく、良好な画質を得ることのできるイメージセンサを提供する。【構成】 付加容量12および蓄積容量15の共通電極は接地線41,47を形成している。この接地線41,47に平行して、Alで形成された接地線42,46を設け、接地線41と各所で電気的に接続し、接地線の電位降下を防いでいる。また、一括リセット用薄膜トランジスタ13のリセットゲート線43、および、一括転送用薄膜トランジスタ14の一括ゲート線45を、低抵抗のAlで形成し、フィールドスルーの大きさのばらつきを抑えている。リセットゲート線43、一括ゲート線45と信号線が交差する部分には、Taの信号線と、Alのリセットゲート線43、一括ゲート線45との間にTi層を設け、このTi層を接地線42,46に電気的に接続し、カップリングを防止している。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に設けられた複数の受光素子と、前記各受光素子で発生した電荷をそれぞれ蓄積する複数の付加容量と、前記各付加容量に蓄積された電荷をそれぞれ転送する複数の薄膜トランジスタと、前記各受光素子と前記付加容量と前記薄膜トランジスタとを接続する信号線を具備したイメージセンサにおいて、前記付加容量は、少なくとも第1の金属層で形成された前記付加容量の共通電極である第1の接地線と、絶縁膜と、第2の金属層で形成される前記信号線の積層を用いて構成され、前記第1の接地線と平行して第3の金属層で形成された前記薄膜トランジスタのゲート線を配置し、さらに、前記第1の接地線と前記ゲート線との間に前記第1の接地線と接続した前記第3の金属層で形成される第2の接地線を設けたことを特徴とするイメージセンサ。
IPC (2件)：
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