特許

J-GLOBAL ID：200903054386819341

突起電極の形成方法

発明者： 庄司 一隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249969
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098045
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 熱応力が生じてもクラックなどが発生せず、実装後も簡単に実装物を基板から外すことができる突起電極を形成する方法を提供する。【解決手段】 半田バンプ14の先端部に樹脂膜15とは親和性がないマスク用膜16を形成する。次に、バンプ形成面に樹脂膜15を半田バンプ14の基部が埋没するように形成する。樹脂膜15が硬化した後にマスク用膜16を除去する。

請求項（抜粋）：

突起電極形成面に設けた突起電極の先端部に有機材料または高分子材料からなる第1の膜を形成し、次いで、前記突起電極形成面に高分子材料からなる第2の膜を突起電極の基部が埋没するように形成し、この第2の膜が硬化した後に前記第1の膜を除去する突起電極の形成方法であって、前記第1の膜を、前記第2の膜とは親和性がない材料としたことを特徴とする突起電極の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/92 604 S