特許

J-GLOBAL ID：200903054392166520

半導体装置およびその製造方法ならびに電子装置

発明者： 林田 哲哉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社北日本セミコンダクタテクノロジ-ズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223953
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037133
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 半田接合性の向上を図る。【解決手段】 マルチチップモジュールのモジュール基板11に搭載されたCSP15を接続している半田バンプ6は、Ba、Be、Ca、Mgなどのアルカリ土類金属が添加物として添加された半田を用い、かつこの半田に対して半田リフローを行ってモジュール基板11の第1の電極11aに接合させたものであり、したがって、半田リフロー時に、リン(P)とアルカリ土類金属とが反応してP化合物7が形成され、このP化合物7が半田バンプ6内に分散するため、Ni膜4には、P濃縮層は形成されず、半田リフロー時の半田バンプ6の第1の電極11aからの剥離を防止できる。

請求項（抜粋）：

配線基板と、前記配線基板上に形成された複数の電極と、前記複数の電極上にそれぞれ形成された複数の突起電極と、前記配線基板上に配置された半導体チップとを有する半導体装置であって、前記複数の電極のそれぞれは、Cuを含む第1の導電体膜と、前記第1の導電体膜と前記突起電極の間に形成されておりNiとPを含む第2の導電体膜とを有しており、前記複数の突起電極のそれぞれはSnと、Ba、Be、Ca、Mgのいずれかを含む半田によって構成されており、前記半導体チップは前記突起電極に電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H01L 25/04 Z ,  H01L 21/92 603 E

Fターム (3件)：

5F044QQ03 ,  5F044QQ06 ,  5F044RR01