特許

J-GLOBAL ID：200903054392863395

半導体装置およびその製造方法

発明者： 佐藤 晴彦
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-010066
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214387
出願日： 1998年01月22日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に絶縁膜2を堆積し、リソグラフィ技術により配線パターンとは反転のパターンにレジスト3をパターニングする。レジスト3をマスクとして絶縁膜2をエッチングして配線パターンの位置に溝8を形成し、溝8が形成された絶縁膜2上にアルミニウム系または銅系材料の多結晶金属膜4を堆積する。レーザ照射またはヒータ加熱により金属膜4の一部を溶融し、種結晶6となるアルミニウム系または銅系材料の単結晶を溶融部に接触させた後レーザ7またはヒータを移動して溶融部を徐々に移動させることにより金属膜4を単結晶化する。化学機械研磨(CMP)により余分な金属膜4を除去して溝8内に平坦な配線層5を形成する。これにより、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性を有する配線形成が可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に堆積した層間絶縁膜上の配線が、結晶方位を制御された配線材料の単結晶により形成されていることを特徴とする半導体装置。