特許

J-GLOBAL ID：200903054393627164

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 齋藤 達之 ,  大和田 伸郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-047557
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237200
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜に形成された溝部(配線溝および接続孔)の内部にめっき法により導電性膜を埋め込むことで配線を形成する工程において、導電性膜が埋め込まれた溝部の内部においてボイドが発生することを防ぐ。【解決手段】 めっきチャンバ100内のめっき液に半導体基板1を浸し、めっき液の流れる系105に対して高圧ポンプ102により圧力を加え、ヒーター103および104により熱を加え、半導体基板1を負の電位に保って電流を流すことで半導体基板1の表面に銅膜を析出させる。

請求項（抜粋）：

(a)半導体素子が形成された半導体基板の主面上に絶縁膜を堆積する工程、(b)前記絶縁膜をエッチングすることによって溝部を形成する工程、(c)前記溝部の内部を含む前記絶縁膜の上部に第1導電性膜を堆積する工程、(d)前記溝部の内部を含む前記第1導電性膜の表面に、前記溝部を埋め込む第2導電性膜をめっき法にて形成する工程、(e)前記溝部の外部の前記第1導電性膜および前記第2導電性膜を化学的および機械的に研磨して、前記溝部内に前記第1導電性膜および前記第2導電性膜を残すことにより配線を形成する工程、を含み、前記第2導電性膜の形成時に前記半導体基板を加圧または加熱し、前記第2導電性膜を構成する結晶粒を成長させることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/288 ,  C25D 5/48 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/288 E ,  C25D 5/48 ,  C25D 7/12 ,  C25D 17/00 F ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 B

Fターム (81件)：

4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CA04 ,  4K024CA16 ,  4K024CB01 ,  4K024CB03 ,  4K024DB01 ,  4K024DB10 ,  4K024GA16 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033LL08 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02