特許

J-GLOBAL ID：200903054393866568

ポリイミドパターンの形成方法

発明者： 丹羽 勝弘 ,  江口 益市 ,  浅野 昌也
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028986
公開番号（公開出願番号）：特開平6-242613
出願日： 1993年02月18日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【構成】本発明は、感光性ポリイミド前駆体を用い、銅配線上にポリイミドパターンを形成する方法において、銅配線上にアミノ基を有するケイ素アルコキシド化合物の被膜、アミノ基を有しないケイ素アルコキシド化合物の被膜および感光性ポリイミド前駆体被膜をこの順に形成した後、該感光性ポリイミド前駆体被膜をパターン形成し、ついで加熱によりポリイミドパターンに変換し、さらにスルーホール部の両ケイ素アルコキシド化合物の被膜を除去する各工程を含むことを特徴とするポリイミドパターンの形成方法に関する。【効果】本発明によれば、銅配線上にポリイミドパターンを形成する場合に、現像残膜の無いポリイミドパターンを確実に形成でき、スルーホールにおける電気的接続の導通不良の問題を解決し、しかも熱処理中に銅配線は酸化されず、かつポリイミドと銅配線との耐湿接着性に優れたポリイミドパターンを得ることができる。

請求項（抜粋）：

感光性ポリイミド前駆体を用い、銅配線上にポリイミドパターンを形成する方法において、A.銅配線上に、アミノ基を有するケイ素アルコキシド化合物の被膜を形成する工程、B.該アミノ基を有するケイ素アルコキシド化合物の被膜上に、アミノ基を有しないケイ素アルコキシド化合物の被膜を形成する工程、C.該アミノ基を有しないケイ素アルコキシド化合物の被膜上に、感光性ポリイミド前駆体被膜を形成する工程、D.該感光性ポリイミド前駆体被膜を選択的に露光した後、現像してパターンを形成する工程、E.該感光性ポリイミド前駆体のパターンを加熱することにより、ポリイミドパターンに変換する工程、F.該ポリイミドパターンのスルーホール部の、アミノ基を有するケイ素アルコキシド化合物の被膜およびアミノ基を有しないケイ素アルコキシド化合物の被膜を除去する工程、の各工程を含むことを特徴とするポリイミドパターンの形成方法。

IPC (7件)：

G03F 7/26 ,  G03F 7/027 514 ,  G03F 7/038 504 ,  G03F 7/075 501 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/312 ,  H05K 3/28