特許

J-GLOBAL ID：200903054398548971

半導体レーザの量子井戸構造

発明者： 関口 利貞
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-309424
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162084
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 量子井戸間でのキャリア輸送時間を短くし、各量子井戸に注入されるキャリア密度の分布を均一にすることができる。【構成】 量子効果の生じる厚さ以下の厚さの第1の半導体からなる量子井戸層20b1〜20b4と該量子井戸層20b1〜20b4より禁制帯幅の広い第2の半導体からなる障壁層20a1〜20a5とがそれぞれ複数積層されてなる半導体レーザの量子井戸構造において、各障壁層20a1〜20a5は、キャリア密度分布が均一になるように各禁制帯幅が厚さ方向に順に変化し、かつ、各量子井戸層20b1〜20b4は、前記障壁層の禁制帯幅が変化された量に応じて各井戸層の波長λB1〜λB4がすべて同等になるようにその厚さが変化することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

量子効果の生じる厚さ以下の厚さの第1の半導体からなる量子井戸層と該量子井戸層より禁制帯幅の広い第2の半導体からなる障壁層とがそれぞれ複数積層されてなる半導体レーザの量子井戸構造において、各障壁層は、キャリア密度分布が均一になるように各禁制帯幅が厚さ方向に順に変化し、かつ、各量子井戸層は、前記障壁層の禁制帯幅が変化された量に応じて各井戸層の波長がすべて同等になるようにその厚さが変化することを特徴とする半導体レーザの量子井戸構造。