特許
J-GLOBAL ID：200903054399350849
3レベル電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-242712
公開番号（公開出願番号）：特開平11-089249
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 主回路に存在する配線インダクタンスを小さくしてターンオフサージ電圧の低減を図る。【解決手段】 直流電圧源9を挟むように直流電圧源9の両側に正側アーム部10および負側アーム部11を配置する。そして、正側アーム部10では、直流電圧源9側から順に、第2のIGBT2、第1の結合ダイオード5、第1のIGBT1を配置し、負側アーム部11では、直流電圧源9側から順に、第3のIGBT3、第2の結合ダイオード6、第4のIGBT4を配置する。
請求項（抜粋）：
正極端子と中間端子と負極端子とを有する直流電圧源、上記正極端子と交流出力端子との間に順次直列に接続された第1および第2のスイッチング素子と、上記第1および第2のスイッチング素子の接続点と上記中間端子との間に接続された第1の結合ダイオードとを有する正側アーム部、および上記交流出力端子と上記負極端子との間に順次直列に接続された第3および第4のスイッチング素子と、上記第3および第4のスイッチング素子の接続点と上記中間端子との間に接続された第2の結合ダイオードとを有する負側アーム部を備え、上記交流出力端子から3レベルの電圧を出力する3レベル電力変換装置において、上記正側アーム部は、上記直流電圧源に対して上記第2のスイッチング素子を最も近く、上記第1のスイッチング素子を最も遠く、上記第1の結合ダイオードを上記第1および第2のスイッチング素子の中間にそれぞれ配置し、上記負側アーム部は、上記直流電圧源に対して上記第3のスイッチング素子を最も近く、上記第4のスイッチング素子を最も遠く、上記第2の結合ダイオードを上記第3および第4のスイッチング素子の中間にそれぞれ配置したことを特徴とする3レベル電力変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H02M 7/5387 Z
, H02M 1/00 M
