特許
J-GLOBAL ID：200903054399692120

マイクロ波可変減衰回路

発明者：
渡辺 茂

渡辺 茂 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-296435
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124709
出願日： 1998年10月19日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】方向性結合器を利用してなる可変減衰回路において、可変抵抗素子の寄生容量による通過損の増大と可変減衰量の低下を防止し、良好な伝送特性を有するマイクロ波可変減衰回路を提供することにある。【解決手段】第1の方向性結合器10の通過端子13と第2の方向性結合器20の結合端子24との間、及び第1の方向性結合器10の結合端子14と第2の方向性結合器20の通過端子23との間には、それぞれ少なくとも2つ以上のインダクタ70a〜7na、70b〜7nb(nは任意の自然数)を直列接続し、各インダクタ同士の接続点にはFET301a〜30na、301b〜30nbのドレイン電極が接続されている。FET301a〜30na、301b〜30nbのソース電極はすべて接地され、ゲート電極はそれぞれ抵抗161a〜16na、161b〜16nbを介して制御端子41に接続されたマイクロ波可変減衰回路を構成している。
請求項（抜粋）：
第1の方向性結合器と、第2方向性結合器と、インダクタ素子を複数直列に接続し、前記インダクタ素子の接続点に各電界効果トランジスタのドレイン端子を接続し、前記電界効果トランジスタのソース端子を接地した第1及び第2の梯子型回路とを具備し、前記第1の方向性結合器の入力端子を信号入力端子、前記第2の方向性結合器の入力端子を信号出力端子とし、前記第1及び第2の方向性結合器のアイソレーション端子をそれぞれ終端抵抗で接地し、前記第1の梯子型回路の両端を、前記第1の方向性結合器の結合端子と前記第2の方向性結合器の通過端子とに接続し、前記第2の梯子型回路の両端を、前記第1の方向性結合器の通過端子と前記第2の方向性結合器の結合端子とに接続し、前記第1及び第2の梯子型回路の電界効果トランジスタのゲート端子を接続して制御端子とすることを特徴としたマイクロ波可変減衰回路。
IPC (2件)：
H01P 1/22 ,  H03H 11/24
FI (2件)：
H01P 1/22 ,  H03H 11/24 B
Fターム (13件)：
5J013AA06 ,  5J098AA03 ,  5J098AA11 ,  5J098AA16 ,  5J098AB20 ,  5J098AC05 ,  5J098AC09 ,  5J098AC14 ,  5J098AC21 ,  5J098AC27 ,  5J098AD02 ,  5J098EA01 ,  5J098EA09
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 高周波減衰回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-240351   出願人：日本電気株式会社
  • 特開昭62-102602
  • 特開昭62-296611

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