特許
J-GLOBAL ID：200903054401416658
半導体薄膜の形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025041
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219368
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 複数の半導体薄膜を連続して形成し積層する半導体薄膜の形成装置において、各薄膜形成工程における薄膜形成時間などの種々の薄膜形成条件に簡単に対応させることができ、かつ設置スペースを小さくすることができる半導体薄膜形成装置を得る。【解決手段】 化学的気相反応により半導体薄膜を形成する複数の薄膜形成室22,24,26を備え、各薄膜形成室22,24,26において順次半導体薄膜を基板上に積層し、積層構造の半導体薄膜を形成するための装置であり、複数の薄膜形成室のうちの少なくとも1つが、基板40a,40bをループ状に周回させながら半導体薄膜を形成するループ状薄膜形成室24であることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜を形成する複数の薄膜形成室を備え、各薄膜形成室において順次半導体薄膜を基板上に積層し、積層構造の半導体薄膜を形成するための装置であって、前記複数の薄膜形成室のうちの少なくとも1つが、前記基板をループ状に周回させながら、半導体薄膜を形成するループ状薄膜形成室である半導体薄膜の形成装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/08
, C30B 35/00
, H01L 31/04
H01L 21/205
, C30B 25/08
, C30B 35/00
, H01L 31/04 T
