特許

J-GLOBAL ID：200903054403181933

電子デバイスおよびその製造方法

発明者： 柏原 慶一朗 ,  奥平 智仁 ,  伊藤 博巳
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104146
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089986
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 高誘電率の絶縁体層を有する電子デバイスを提供する。【構成】 下部電極21と、下部電極21上に設けられ、チタン酸鉛からなる絶縁体層22と、ペロブスカイト型の結晶構造を有し、絶縁体層22上に設けられるチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)層23と、PZT層23上に設けられる上部電極24とを備えるキャパシタ構造を有する電子デバイス。

請求項（抜粋）：

キャパシタ構造を有する電子デバイスであって、1対の電極と、前記1対の電極の間に設けられ、かつチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)およびチタン酸ジルコン酸ランタン鉛(PLZT)の少なくともいずれかからなる主絶縁体層と、前記主絶縁体層に接し、かつ前記主絶縁体層と前記1対の電極の一方との間に介在する副絶縁体層とを備え、前記副絶縁体層が、チタン酸鉛、チタン酸ランタン鉛、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸バリウムストロンチウムからなる群から選択される少なくとも1つのチタン酸塩からなり、かつ前記主絶縁体層がペロブスカイト型の結晶構造を有する、電子デバイス。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/10 325 C