特許
J-GLOBAL ID：200903054405487886
半導体ウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
秋元 輝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076096
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267193
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 裏面研削の後工程において、結晶方位を確実に且つ容易に認識できるようにした半導体ウェーハを提供する。【解決手段】 半導体ウェーハ1をダイシングする際に、ストリート間隔aとは異なる間隔bで結晶方位ライン溝4を形成する。この結晶方位ライン溝4は、半導体チップ2の設けられていない外周部で且つ結晶方位を示すノッチ3との相関関係を持たせた位置に設ける。この場合は、ノッチ3の対向位置に最外側のストリートに対し平行に形成されるがこれに限定されない。半導体ウェーハ1は、フレーム6に支持された粘着テープ7に配設してダイシングされるが、そのダイシングの際に結晶方位ライン溝4を形成する。
請求項（抜粋）：
ダイシングすべき複数のストリートによって区画された複数の半導体チップを備えた半導体ウェーハであって、この半導体ウェーハには半導体チップが形成されていない外周の所要位置に半導体ウェーハの結晶方位を示すマークが形成されており、このマークとは別にマークとの相関関係を持たせた結晶方位ライン溝を、半導体ウェーハの半導体チップが形成されていない外周の所要位置に形成した半導体ウェーハ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/02 B
, H01L 21/02 A
, H01L 21/78 L
