半導体装置の配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134101
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326099
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】配線を形成するためのフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術による金属配線層のパターニング工程を行う必要がなく、しかも、従来のように配線上に形成された絶縁膜の研磨を行わずに、配線を含む絶縁層の完全なる平坦化を可能とする、新規の半導体装置の配線形成方法を提供する。【構成】本発明の半導体装置の配線形成方法は、基体10上に絶縁層12を形成した後、この絶縁層に溝部14を形成する工程と、溝部14内を含む絶縁層12上に金属配線層20を形成する工程と、絶縁層12上の金属配線層20を除去し、溝部14内に金属配線層を残し配線22とする工程、から成る。

請求項（抜粋）：

基体上に絶縁層を形成した後、該絶縁層に溝部を形成する工程と、該溝部内を含む絶縁層上に金属配線層を形成する工程と、絶縁層上の金属配線層を除去し、溝部内に金属配線層を残し配線とする工程、から成ることを特徴とする、半導体装置の配線形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/02 , H01L 21/265 , H01L 21/302 , H01L 21/90

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/265 L

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-276248
特開平4-085932
特開昭63-090838

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