特許

J-GLOBAL ID：200903054408586354

半導体装置の製造方法

発明者： 川端 隆弘
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-062267
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264490
出願日： 1995年03月22日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【構成】 半導体ウェーハ11の素子12が形成された面12aの、エッチカット予定部13aをその幅より幅広に、選択的にネガレジスト13で被覆し、その上にポジレジスト14を全面に塗布し、その面を保持板(ガラス板15)に貼りつけて裏面を研摩した後、前記半導体ウェーハ11の反対面をエッチング予定部を除いて、ポジレジスト17で被覆し、前記半導体ウェーハ11の反対面よりドライエッチによりエッチカットする。ネガレジスト13を溶解しない薬液でそのポジレジスト17を除去する。その後に前記半導体ウェーハ11を前記保持板(ガラス板15)に貼りつけた状態でPHSを形成する。そして素子12を前記保持板(ガラス板15)より剥離する。【効果】 本発明によれば、エッチカット部はエッチカット工程中に接触する薬液に溶けないので、工程中に素子が剥離することがない。また、素子表面との接触部は工程後容易に剥離するポジレジストを使用することにより、素子表面に剥離困難な付着物が残ることがないため、これに起因する外観不良がなくなる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの素子が形成された面の、エッチカット予定部をその幅より幅広に、選択的に薬液に強いホトレジストで被覆する第一の工程と、その上に熱が加わっても薬液で容易に溶けるコーティング剤を全面に塗布する第二の工程と、その面を保持板に貼りつける第三の工程と、前記半導体ウェーハの反対面をエッチング予定部を除いて、ホトレジストで被覆する第四の工程と、前記半導体ウェーハの反対面よりエッチカットする第五の工程と、前記薬液に強いホトレジストを溶解しない薬液で前記第四の工程で被覆したホトレジストを除去する第六の工程と、その後に前記半導体ウェーハを前記保持板に貼りつけた状態で処理する第七の工程と、前記素子を前記保持板より剥離する第八の工程とを有し、かつ、上記いづれかの工程に前記半導体ウェーハが加熱される処理を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 23/36 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5件)：

H01L 21/78 S ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 23/36 Z ,  H01L 29/80 B