特許

J-GLOBAL ID：200903054414593338

半導体レーザー励起固体レーザー

発明者： 岡崎 洋二
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-123818
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315832
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】 光波長変換素子と、励起源である半導体レーザーとが共通の温度調節手段によって所定温度に制御される半導体レーザー励起固体レーザーにおいて、半導体レーザーの選択の自由度を高くして、装置をコストダウンする。【解決手段】 共振器内に固体レーザービーム20を波長変換する周期ドメイン反転構造を有する光波長変換素子16が配され、この光波長変換素子16と、励起源である半導体レーザー11とが、ペルチェ素子31等からなる共通の温度調節手段によって所定温度に制御される半導体レーザー励起固体レーザーにおいて、光波長変換素子16として、互いに周期が異なる複数の周期ドメイン反転構造が固体レーザービーム20の通過方向に並設されてなるものを用いる。

請求項（抜粋）：

共振器内に固体レーザービームを波長変換する周期ドメイン反転構造を有する光波長変換素子が配され、この光波長変換素子と、励起源である半導体レーザーとが共通の温度調節手段によって所定温度に制御される半導体レーザー励起固体レーザーにおいて、前記光波長変換素子として、互いに周期が異なる複数の周期ドメイン反転構造を前記固体レーザービームの通過方向に並べて有するものが用いられたことを特徴とする半導体レーザー励起固体レーザー。

Fターム (11件)：

5F072AB02 ,  5F072JJ02 ,  5F072JJ08 ,  5F072JJ20 ,  5F072KK06 ,  5F072KK08 ,  5F072KK12 ,  5F072PP07 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR01 ,  5F072TT28