特許
J-GLOBAL ID：200903054420812050
プラズマCVD法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323325
公開番号（公開出願番号）：特開平5-156451
出願日： 1991年12月06日
公開日（公表日）： 1993年06月22日
要約：
【要約】【目的】 成膜反応に寄与するラジカル種の生成を妨げず、しかもダストパーティクル発生の原因となるラジカル種の発生を選択的に抑制して、ダストの基板上成膜部への付着を抑制するとともに成膜速度を向上させる。【構成】 原料ガスのプラズマ化を、所定周波数の高周波電力に1KHz以下の第1のパルス変調、第1パルス変調より短い周期をもつ第2パルス変調及び第2パルス変調より短い周期をもつ第3パルス変調を重畳させた高周波電力の印加により行うことを特徴とするプラズマCVD法及び装置。
請求項（抜粋）：
原料ガスをプラズマ化し、基板上に薄膜を形成するプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を、所定周波数の高周波電力に1KHz以下の第1のパルス変調、該第1パルス変調より短い周期をもつ第2パルス変調及び該第2パルス変調より短い周期をもつ第3パルス変調を重畳させた高周波電力の印加により行うことを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, C23C 16/52
, H01L 21/31
