特許

J-GLOBAL ID：200903054421629437

半導体装置及びその製造方法

発明者： 大岡 豊 ,  野上 毅 ,  田井 香織 ,  瀬川 雄司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-040440
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243392
出願日： 2002年02月18日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 銅の拡散が確実に防止された信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、銅を含む金属配線上に、銅拡散防止機能を有するキャップ膜が形成され、当該キャップ膜の表面がシリサイド化されていることを特徴とする。また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を備える半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線上に上記銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成し、さらに当該キャップ膜の表面をシリサイド化することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

銅を含む金属配線上に、銅拡散防止機能を有するキャップ膜が形成され、当該キャップ膜の表面がシリサイド化されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 B

Fターム (99件)：

4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD28 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104DD84 ,  4M104EE02 ,  4M104EE05 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH05 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK15 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX03 ,  5F033XX07 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28