特許
J-GLOBAL ID：200903054428120050
硼酸リチウム単結晶の育成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-088050
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287492
出願日： 1997年04月07日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【課題】 るつぼと育成結晶との固着を防止してるつぼを壊すことなく良質の硼酸リチウム単結晶を歩留まり良く得ることができる育成方法を提供する。【解決手段】 グラファイト製のるつぼ4の上端から、原料融液の上面Aから1〜5cm下までの範囲のるつぼ内面を白金等の金属箔40で被覆し、その中に硼酸リチウムの原料を入れる。それをヒーター6により加熱して硼酸リチウムの原料融液3とし、炉心管7の中を低温側へ移動させて徐々に原料融液3を固化させることにより、硼酸リチウム単結晶1を育成させる。白金等とは、白金、白金ロジウムなどである。結晶育成が終了したら、金属箔40を持ち上げて金属箔40ごとるつぼ4から抜き出し、金属箔40を除去して硼酸リチウム単結晶を得る。
請求項（抜粋）：
グラファイト製るつぼ内に入れた硼酸リチウム原料を加熱溶融し、その溶融した硼酸リチウム原料融液を徐々に冷却して硼酸リチウム単結晶を育成するにあたって、少なくとも前記原料融液の上面から1cm以上の深さに至るまでのるつぼ内面が、白金、白金ロジウムよりなる群から選ばれた金属箔により被覆されてなるるつぼを用いることを特徴とする硼酸リチウム単結晶の育成方法。
IPC (3件)：
C30B 29/22
, C30B 11/00
, H01L 21/208
C30B 29/22 C
, C30B 11/00 C
, H01L 21/208 Z
