特許
J-GLOBAL ID：200903054430129650
炭化けい素縦型MOSFETおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036080
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233503
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】SiCを用いた縦型MOSFETの高耐圧化を図る。【解決手段】幅の広いマスク36aを使用した燐イオン34aの選択的なイオン注入の後、より幅の狭いマスク36bを使用したほう素イオン33aの選択的なイオン注入をおこない、マスク36bを除去し熱処理してpベース領域33およびnソース領域34を形成する。その後熱酸化によりゲート酸化膜35を形成し、多結晶シリコンのゲート電極層36を形成する。チャネル領域40の長さと、pベース領域33の厚さとをそれぞれ独立に設計でき、例えばチャネル領域でのパンチスルーが避けられる高耐圧に適する構造とすることができる。特に、スペーサを利用する方法により、チャネル領域の長さが精度よく形成され、安定した特性が歩留まりよく得られる。
請求項（抜粋）：
第一導電型炭化けい素サブストレート上に積層された炭化けい素からなる第一導電型ドリフト層と、その第一導電型ドリフト層の表面層に選択的に形成された第二導電型ベース領域と、その第二導電型ベース領域内に選択的に形成された第一導電型ソース領域と、第一導電型ソース領域と第一導電型ドリフト層とに挟まれた第二導電型ベース領域の表面露出部上の少なくとも一部にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層と、第一導電型ソース領域と第二導電型ベース領域との表面に共通に接触するソース電極と、炭化けい素サブストレートの裏面に設けられたドレイン電極とを有する縦形MOSFETにおいて、第一導電型ソース領域が、第二導電型不純物の選択的なイオン注入に使用したマスクより、幅の広いマスクを使用した第一導電型不純物のイオン注入によって形成された濃度分布を有することを特徴とする炭化けい素縦型MOSFET。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 658 A
