特許

J-GLOBAL ID：200903054431765940

半導体装置の製造方法

発明者： 酒井 俊彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-058752
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279536
出願日： 1988年09月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【課題】電子部品の接続電極と回路基板の接続部とをツールにより接合する際、加圧ツールの力と速度を制御することにより、電子部品の接合部に過大な力がかかるのを防止する。【解決手段】電子部品の接続部に対する加圧力を検出する手段を設け、加圧初期において一接合部当たりに要する圧接力の値に制御し、その後圧接力を増加し、前接合部当たりに要する圧接力の値に制御し、各々の回路基板の接続部に対向する電子部品の接続電極を一括接合する。

請求項（抜粋）：

接続部と被接続部とを対向させ、前記接続部の上から被接続部に移動可能なツールにより加圧し、該ツールの移動方向と略垂直方向に孔部を形成した弾性支持材を介して加圧力を計測し、前記接続部と前記被接続部を一括接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/603 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 21/603 B ,  H01L 21/603 C ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/60 311 Q

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-251729