半導体装置の素子分離法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：朝日奈宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-257329
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232253
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】半導体基板上で幅の狭い絶縁膜により有効に素子分離ができ、また絶縁膜形成時に半導体基板に結晶欠陥が発生したり、チャネルストッパの機能を低下させたりすることのない素子分離方法を提供する。【構成】半導体基板1上に絶縁膜2を設け、活性領域5にあたる部分を選択的にエッチング除去することによりフィールド絶縁膜2aを形づくり、半導体基板1の反転を防止するための不純物をフィールド絶縁膜2aの直下の半導体基板1の表面近傍にフィールド絶縁膜2aごしにイオン注入することにより、チャネルストッパ6を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に絶縁膜を設け、(b)該絶縁膜の活性領域にあたる場所を選択的にエッチング除去することにより素子分離領域となるフィールド絶縁膜を形づくり、(c)前記半導体基板の反転を防止するための不純物を前記フィールド絶縁膜ごしにイオン注入することによりチャネルストッパを形成することを特徴とする半導体装置の素子分離法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 21/265

引用特許：

出願人引用 (11件)

特開昭63-312651
特開昭56-158443
特開昭57-062543

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審査官引用 (11件)

特開昭63-312651
特開昭56-158443
特開昭57-062543

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