特許
J-GLOBAL ID：200903054440192554
プローバ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-218704
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074216
出願日： 1993年09月02日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【構成】 プローバは、半導体基板表面に形成された半導体集積回路素子の性能をテストするために使用され、その半導体基板と実質的に同じ熱膨張係数を有するプローバ基板を備える。プローバ基板の中央部には、半導体集積回路素子のパッド部のそれぞれに対応する複数のリード部が形成され、リード部には、各対応するパッド部に接触する接点が設けられ、プローバ基板には、各接点に一端を接続し、他端をそのプローバ基板の外周縁近傍にて終端させた導電層が形成されている。【効果】 被検体個々のプロービングは勿論のこと、単位プローバを複数個集合してなるプローバにより複数被検体やさらにウエハー全体のプロービングを同時に行なうこともできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に形成された半導体集積回路素子の性能をテストするために使用するプローバであって、前記半導体基板と実質的に同じ熱膨張係数を有するプローバ基板を備え、該プローバ基板は、その中央部に、前記半導体集積回路素子のパッド部のそれぞれに対応する複数のリード部が形成された探触部を有しており、前記リード部には、そのプローバ基板を前記半導体基板表面上に載置するとき、前記各対応するパッド部に接触する接点が設けられており、さらに、前記プローバ基板には、前記各接点に一端を接続し、他端をそのプローバ基板の外周縁近傍にて終端させた導電層が形成されていることを特徴とするプローバ。
IPC (2件)：
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