特許

J-GLOBAL ID：200903054440919543

半導体装置及びその製造方法

発明者： 井上 雄二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235752
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060639
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 この半導体装置をマザープリント基板に取付け及び接続したとき、リード用半田ボールのソルダレジスト層の孔の近傍部分にクラックが入るおそれのないものを得る。【解決手段】 半導体集積回路が取付け及び接続されたプリント基板1上の複数の導電層3上に、その各導電層3側から遠ざかるにつれて内径が徐々に大きくなる斜面を有する、断面が円形の孔4aを備えるソルダレジスト層4がそれぞれ被着形成されてなり、その各ソルダレジスト層4の孔4aにそれぞれリード用半田ボール5が溶着されてなるものである。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路が取付け及び接続されたプリント基板上の複数の導電層上に、該各導電層側から遠ざかるにつれて内径が徐々に大きくなる斜面を有する、断面が円形の孔を備えるソルダレジスト層がそれぞれ被着形成されてなり、該各ソルダレジスト層の孔にそれぞれリード用半田ボールが溶着されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 602 K ,  H01L 21/92 604 H ,  H01L 21/92 604 S