特許

J-GLOBAL ID：200903054452102534

研磨装置と半導体装置の製造方法

発明者： 立野 勇一 ,  橋詰 幸司
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-021550
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230974
出願日： 1994年02月18日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体基板の研磨に用いる化学機械研磨装置に関し、半導体装置の高集積化、微細化に対応する精密研磨装置をクリーンルームに導入するためのクリーンユニットを開発する。【構成】 高清浄度エアフィルタを用いて空調されたクリーンルーム内の研磨装置であって、被処理基板1の研磨部2と該被処理基板1を該研磨部2、或いは外部に搬送する搬送部3との間に、該研磨部2ならびに該搬送部3に接続可能なるクリーンユニット部4を設けてなり、前記クリーンユニット部4は前記研磨装置5のクリーン領域と汚染領域との通路境界に、封止部材6を用いて気密保持可能なシャッタ7を具備し、高清浄度エアフィルタ8を用いて吸気する吸気口9と該クリーンユニット部10から排気する排気口11とを備えてなる。

請求項（抜粋）：

高清浄度エアフィルタ(8) を用いて空調されたクリーンルーム(11)内の研磨装置(5) であって、被処理基板(1) の研磨部(2) と、該被処理基板(1) を該研磨部(2) 或いは外部に搬送する搬送部(3) との間に、該研磨部(2) ならびに該搬送部(3) に接続可能なるクリーンユニット部(4) を設けてなることを特徴とする研磨装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/02