半導体基盤に活性化不純物の階層構造を提供する方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：河宮治 , 石野正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-303103
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129930
出願日： 2004年10月18日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】活性化不純物に関して、薄く十分に輪郭を明確にした膜の階層構造を持つ半導体装置を形成する。【解決手段】半導体基盤内の一領域がアモルファス化される。その後本領域には、第一の不純物濃度で第一の不純物が打ち込まれる。その次に固相エピタキシャル再成長ステップが、アモルファス化領域の所望の厚さを持つ薄膜上になされる。その目的は、本薄膜内でのみ第一の不純物を活性化させることである。続いて第二の不純物が、第二の不純物濃度で残留アモルファス領域内に打ち込まれる。続いて半導体基盤のアニールにより、前記残留領域内でのみ第二の不純物が活性化される。【選択図】図1C

請求項（抜粋）：

半導体基盤(1)内に活性化された不純物の階層構造を形成する方法であって、少なくとも一つのアモルファス副領域を含む半導体基盤(1)を形成し、前記アモルファス副領域内に第一の不純物を打ち込み、第一の不純物を打ち込んだ後、前記副領域より小さい境界領域(4、5)を形成するための前記アモルファス副領域の第一の部分、および依然としてアモルファスのままである前記アモルファス副領域の第二の部分、のそれぞれの中で前記第一の不純物を固相エピタキシャル再成長によって活性化させ、第一の不純物を活性化した後、前記アモルファス副領域の前記第二の部分内に第二の不純物を打ち込み、第二の不純物を打ち込んだ後、前記アモルファス副領域の前記第二の部分内で第二の不純物を活性化する、ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78

FI (3件)：

H01L29/78 301Y , H01L21/265 602A , H01L21/265 602C

Fターム (26件)：

5F140AA21 , 5F140BA01 , 5F140BA07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BG27 , 5F140BG30 , 5F140BG37 , 5F140BH14 , 5F140BH21 , 5F140BH22 , 5F140BH35 , 5F140BH49 , 5F140BK08 , 5F140BK10 , 5F140BK14 , 5F140BK21 , 5F140CE18

引用特許：

出願人引用 (1件)

US 6,521,502

審査官引用 (8件)

半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-338602 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
浅い拡散層を有する半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-032379 出願人：日本電気株式会社
特開平3-131020

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